루스테크 (RusTec)은 비스무트 텔루라이드를 기반으로 한 열전 재료의 다이싱을 제조하기 위한 기술을 개발했다. 이 기술은 컷팅의 두께로 인한 열전 재료의 심각한 손실과 와셔 (슬라이스)를 왁싱/탈왁싱에 대한 추가 노동을 가져오고 초래했다.

소위 로드 기술은 용융 또는 압출 방법에 의하여 원하는 직경의 막대를 초기 생산하는 것을 기본으로 한다. 그후에 로드의 측면은 에폭시 수지 (epoxy)를 기반으로 특별히 개발된 화학 조성물로 보호되어 원하는 높이의 가지에서 코팅된 로드 (coated rods)를 절단한 후 (slicing)에 확산 장벽 (diffusionbarriers)으로 분기 끝을 덮을 수 있다.

이 기술의 장점은 다음과 같습니다.

-  둥근 모양의 가지 배치 용이 (placement of dices with round shape)

-  그들의 평행 육면체 형태가 입방체로 변형되어 방향을 결정하기 어려울 경우에 는 둥근 가지를 사용할 가능성

-  가지의 코팅된 (by coating) 측면은 전기 분로, 반도체 솔더의 반도체 내 침투 (electrical bridges, penetration of soldier in semiconductor)와 같은 바람직하지 않은 현상을 방지한다. 이는 모듈솔더링중솔더링으로측면을적시는것과 관련된다.

기술 사양(technology specification)

-  가지의 지름 : 1.4 mm부터 10 mm까지

-  가지의 높이 : 0.2mm부터 10 mm까지

-  표면 보호 : 전기 도금의 방법으로 전착된 에폭시 조성물 (galvanic deposited epoxy composition), 두께 10-30 마이크론, 작동 온도: -50℃ 내지 280℃

-   확산 장벽 (Diffusion barrier): 니켈을 기초한 금속의 화학 증착 (chemical deposition of metals on the basis of Ni), 두께 (5-9 미크론), 접착력 1.5 kg / mm2 이상

-  납땜 층 (Solderable layer): Sn (+1% Bi), 5 미크론 또는 금 도금 (Au- flash), 0.1-0.2 미크론의 두께