반도체 분기 Bi2Te3-Sb2Te3에 금속층을 사용하는 주요 목적       

1)    반도체 분기에 땜납 구성 요소 (특히 구리, 은, 주석이 활성함)의 침투를 방지하는 금속의 확산 장벽을 생성

2)    확산층을 산화로부터 보호하고 좋은 품질의 납땜을 보장하기 위하여 확산 배리어 상에 납땜층 (solderable layer)을 형성

 확산층으로서 두께가 6 내지 9 미크론 인 니켈 계 금속이 사용된다. 납땜층으로서 화학적으로 적용된 (electroless deposited) 0.1-0.2 마이크론 두께의 금층 (gold flash) 또는 5 마이크론 두께의 Sn 층 (+ 1 % Bi)을 사용된다.

 이 코팅은 Sn 땜납을 기준으로(4 ~ 5 천 시간 동안) 조립된 모듈과 핫 사이드 (발생기 모듈) +230°C의 온도에서 6~8 천 시간 동안 Pb 땜납을 기준으로 조립된 모듈을 보호한다.

금속층 (metal layers)을 잉곳에서 자른 와셔에 바르고 다음에 와셔를 가지로 절단한다.