Bi₂Te₃-Sb₂Te₃半導体ダイスにおける金属層の主要な使用目的

1) 半導体ダイスに半田成分(銅、銀、すずの活性が最も高い)の混入を防止する障壁を作成する。

2) 拡散バリアの上に半田層を作ることによりバリアの酸化防止と半田の品質を確保する。

拡散層としてニッケルに基いた金属(厚さ6～9μ)、半田層として無電解析出の金(厚さ0.1～0.2 μ))又はすず(Sn+1%Bi、厚さ約5μ)を採用する。

 この被覆により、加熱側(発電機素子)の温度230^oCにおいては、すず半田で組み立てた素子を4、000～5、000時間、鉛半田で組み立てた素子を6、000～8、000時間で保護する。